民生证券发布研究报告称，最新的HBM3E产品可提供超过1TB/s的数据带宽，具有8Gb/s的I/O速率，缓解了因内存部件延迟而阻碍算力增长的问题。受益AI需求催化，HBM用量需求大幅提升，TrendForce以bit为计算基础，推算HBM目前约占整个DRAM市场的1.5%，预计2023年全球HBM需求量将年增58%。该行认为AI催化HBM高景气，需求快速增长，目前海力士占据绝对份额，相关产业链环节有望受益，同时国内产业链也在快速跟进。
建议关注：1)材料：雅克科技(002409.SZ)、联瑞新材(688300.SH)、华海诚科(688535.SH)、神工股份(688233.SH)等;2)设备：北方华创(002371.SZ)、中微公司(688012.SH)等;3)封测：深科技(000021.SZ)等;4)代理商：香农芯创(300475.SZ)、雅创电子(301099.SZ)、商络电子(300975.SZ)等。
民生证券主要观点如下：
AI服务器高带宽，催生HBM需求。
处理器性能不断提升，“内存墙”成为计算机系统的瓶颈，而HBM通过3D堆栈可提供更高的内存带宽和更低的能耗，适用于高存储带宽需求的应用场合，如HPC、网络交换设备等。最新的HBM3E产品可提供超过1TB/s的数据带宽，具有8Gb/s的I/O速率，缓解了因内存部件延迟而阻碍算力增长的问题。受益AI需求催化，HBM用量需求大幅提升，TrendForce以bit为计算基础，推算HBM目前约占整个DRAM市场的1.5%，预计2023年全球HBM需求量将年增58%，达到2.9亿GB，2024年将再增长30%。不过由于HBM高门槛，目前仅海力士、三星和美光稳定供应，据TrendForce数据，2022年三者份额分别为50%、40%、10%。其中海力士占据先发优势，更于2023年5月率先推出了HBM3E，宣布将于2023年下半年发布样品，2024 年上半年投入生产。
HBM拉动上游设备及材料用量需求提升。
设备端：TSV和晶圆级封装需求增长。由于独特的3D堆叠结构，HBM芯片为上游设备带来了新的增量：前道环节，HBM需要通过TSV来进行垂直方向连接，增加了TSV刻蚀设备需求;中段环节，HBM带来了更多的晶圆级封装设备需求;后道环节，HBM的多芯片堆叠带来die bond设备和测试设备需求增长。
材料端：具体拆解HBM来看，每个HBM封装内部都堆叠了多层DRAM Die，各层DRAM Die之间以硅通孔(TSV)和微凸块(microbump)连接，最后连接到下层的HBM控制器的逻辑die。因此HBM的独特性主要体现在堆叠与互联上。对于制造材料：HBM核心之一在于堆叠，HBM3更是实现了12层核心Die的堆叠，多层堆叠对于制造材料尤其是前驱体的用量成倍提升，制造材料核心厂商包括：雅克科技、神工股份等;对于封装材料：HBM将带动TSV和晶圆级封装需求增长，而且对封装高度、散热性能提出更高要求，封装材料核心厂商包括：联瑞新材、华海诚科、飞凯材料等。
风险提示：下游AI发展不及预期;产业链相关企业发展进度不及预期
